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太阳城:邦星光电推出第三代半导体新产物

日期:2021-07-18 11:44
内容提示: 国星光电推出第三代半导体新产品 国星光电推出第三代半导体新产品 2021-04-21 6675 导语: 2020年10月,国星光电胜利举行了首届国星之光论坛,论坛上国星光电布告将紧抓国产化机遇,速

  国星光电推出第三代半导体新产品

  

 

  

国星光电推出第三代半导体新产品

  

 

  

2021-04-21

  

 

  

 

  

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   导语: 2020年10月,国星光电胜利举行了首届国星之光论坛,论坛上国星光电布告将紧抓国产化机遇,速快拓展第三代半导体新赛叙。近期,国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品,在新的赛叙上迈出了坚固的措施。

  

  

 

   2020年10月,国星光电利市实行了首届国星之光论坛,论坛上国星光电晓谕将紧抓国产化机缘,紧迫拓展第三代半导体新赛道。近期,国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品,在新的赛道上迈出了坚毅的标准。

  新赛叙 开新局

  第三代半导体是国家2030企图和“十四五”国家研发打定的紧要进步方向。与古板的硅基半导体比拟,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体除了完满较大的禁带宽度之外,还具有高导热率、高电子胀和漂移快度、高击穿电压、卓越的物理和化学坚硬性等特征。

  风乘国家“十四五”对半导体集成电路范围的策动,国星光电在“三代半封测”周围大力组织,在传承“LED封测”高真实性的品德治理形式根基上,悉力于打造高靠得住性及高品格优势的“专业三代半功率封测企业”。

  新倾向 改进品

  此刻,国星光电在第三代半导体界限仍然变成了3大产品系列,包罗:SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。国星光电打造高靠得住性、高品质的功率器件封测企业,坚强高职能、高真实性、高品质的产品途径。

  ●SiC功率器件

  国星光电SiC功率器件小而简便,反向复原速、抗浪涌才智强、雪崩耐压高,拥有优越的职能与极高的任务效劳。当前该周围已造成了2条SiC功率器件拳头产品线:SiC-MOSFET、SiC-SBD;占有4种封装坎阱(TO-247、TO-220、TO-263、TO-252);可广泛运用于大功率电源、充电桩等财产范畴。

  

 

  ●GaN-DFN器件

  国星光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、突出导通电阻、更低的电容等优势,使其尤关用于功率半导体器件,消浸节能和式样总成本的同时,处事频率更高,具有极高的功率密度和编制恶果,可极大地提拔充电器、开关电源等运用的充电功效,浩大行使于新能源汽车充电、手机快充等。

  

 

  ●功率模块

  国星光电第三代半导体功率模块,选拔自立创新的架构及双面高效散热设计,具有优厚的电性能和热职能,杂散电感低、调换出力高、轻载消磨小等优势,其功率密度大,产品体型小,可宽广应用于各式变频器、逆变器的家当范围,惬心方式修立人员对空间的庄厉吁请。模块产品可遵命特别成果需要举行模块化定制作战。

  

 

  “星”速度 见实效

  为做好手段贮备积累,惬心商场必要,2020年国星光电便启动了组建功率器件练习室及功率器件产线的任务。当今,国星光电第三代半导体新品已正式推出,其中,TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD产品依然进入了试产阶段,并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级绳尺的摸底测测验证使命。TO-247-3L的性能达到1200V、40A、80mΩ,TO-220-3L抵达1200V、13A、160mΩ。

  

 

  与此同时,公司产品已送至第三方有天资的机构,正在依照AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有关车规级和工业级标准举行认证尝试。

  未来,在国家“十四五”筹办的宏壮蓝图下,国星光电定将络续加大第三代半导体的钻探修设和伎俩出力转变,为国家计谋宁静、为第三代半导体国产化劳绩力气。

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